Модули памяти DDR (Double Data Rate) для ускорения работы передают данные дважды за один такт. Эффективная частота передачи данных лежит в пределах от 200 до 400 МГц.
Модули памяти DDR2 (Double Data Rate 2) способны работать на значительно большей тактовой частоте, чем DDR, благодаря усовершенствованиям в конструкции. По внешнему виду отличается от DDR числом контактов: у DDR – 184, у DDR2 – 240. Эффективная частота передачи данных – 400, 533, 667, 675, 800, 1066, 1150 и 1200 МГц.
Модули DDR3 также имеют 240 контактов (по 120 с каждой стороны модуля), но не являются электрически совместимыми с печатной платой. Этот тип памяти основан на технологиях DDR2 SDRAM со вдвое увеличенной частотой передачи данных по шине памяти. DDR3 отличается пониженным энергопотреблением по сравнению с предшественниками. Частота полосы пропускания лежит в пределах от 800 до 2400 МГц (рекорд частоты — более 3000 МГц).
Модули типа SIMM (Single In-line Memory Module) – длинные прямоугольные платы с рядом контактных площадок вдоль одной из её сторон. Наиболее распространены 30- и 72-контактные модули SIMM.
Модули типа DIMM (Dual In-line Memory Module) – длинные прямоугольные платы с рядами контактных площадок вдоль обеих её сторон, устанавливаемые в разъём подключения вертикально и фиксируемые по обоим торцам защёлками. Микросхемы памяти на них могут быть размещены с одной или с обеих сторон платы. Наиболее распространены в виде 168-контактных модулей (SDRAM), 184-контактных (DDR), и 240-контактных модулей (DDR2, DDR3 и FB-DIMM).
Модули SO-DIMM (Small outline DIMM) – конструктивно уменьшенные модули DRAM, которые применяются для портативных и компактных устройств, а также принтеров, сетевой и телекоммуникационной техники. Модули SO-DIMM существуют в 72-, 100-, 144-, 200- и 204-контактном исполнении.
Модули типа RIMM (Rambus In-line Memory Module) менее распространены, в них выпускается память типа RDRAM, представлены 168- и 184-контактными разновидностями. На материнской плате такие модули должны устанавливаться только в парах.
Модули FB-DIMM (Fully Buffered DIMM – полностью буферизованные DIMM) используются для повышения надежности, скорости, и плотности подсистемы памяти. В FB-DIMM используется последовательная шина между контроллером памяти и микросхемой Advanced Memory Buffer (AMB), расположенной между контроллером памяти и чипами DRAM AMB. Так достигается увеличение «ширины» (канальности) памяти без чрезмерного увеличения количества контактов контроллера памяти. Функция непосредственной записи в чипы памяти перенесена из контроллера памяти в AMB. В чипе AMB происходит регенерация и буферизация сигналов, а также обнаружение и коррекция ошибок.
Модули micro-DIMM напоминают 200-контактные модули SO-DIMM, но имеют вдвое меньший размер, что позволяет устанавливать такие модули в небольшие корпуса портативных устройств. В отличие от SO-DIMM, модули micro-DIMM не имеют пазов в контактной области; для правильной установки модуля в разъем системной платы в левой части модуля есть вырез. Модули micro-DIMM не поддерживают функции коррекции ошибок с помощью кода ЕСС
О защите смартфоны от атак, говорилось на Всемирном конгрессе мобильной связи. К 2015 году смартфоны займут первое место, потеснив компьютеры и ноутбуки. Такая тенденция ожидается, как в США, так и